電阻率(lv)儀(yi)是(shi)用來測量(liang)半(ban)導(dao)體(ti)材料(liao)(主(zhu)要是(shi)矽單晶(jing)、錯單晶(jing)、矽片)電阻率(lv),以及(ji)擴(kuo)散(san)層(ceng)、外延層、ITO導(dao)電薄膜(mo)、導(dao)電橡膠方(fang)塊電阻的測(ce)量(liang)儀(yi)器(qi)。測試(shi)儀(yi)主(zhu)機由主(zhu)機板(ban)、電源板(ban)、前面(mian)板(ban)、後背板(ban)、機箱組(zu)成。電壓表、電流表、電流調(tiao)節(jie)電位(wei)器、恒(heng)流(liu)源開(kai)關及(ji)各(ge)種(zhong)選擇(ze)開(kai)關均(jun)裝在(zai)前(qian)面(mian)板(ban)上(shang)。後背板(ban)上(shang)只(zhi)裝有電源插(cha)座(zuo)、電源開(kai)關、四探(tan)針頭連(lian)接(jie)插(cha)座(zuo)、數據(ju)處理(li)器連接(jie)插(cha)座(zuo)及(ji)保(bao)險管(guan)。機箱底座(zuo)上(shang)安(an)裝(zhuang)了(le)主(zhu)機板(ban)及(ji)電源板(ban),相互間均(jun)通過接插(cha)件(jian)聯接。
電阻率(lv)測試(shi)儀(yi)配(pei)有恒(heng)流(liu)源(yuan)開(kai)關,在(zai)測(ce)量某些(xie)薄層(ceng)材(cai)料(liao)時(shi),可免(mian)除探(tan)針尖(jian)與被測材料(liao)之間接觸火花的(de)發生,更(geng)好地(di)保(bao)護(hu)箔(bo)膜。儀(yi)器(qi)配(pei)置了(le)“小遊(you)移四探針頭”,探(tan)針遊移率(lv)在(zai)0.1~0.2%。保(bao)證了(le)儀(yi)器(qi)測量(liang)電阻率(lv)的重(zhong)復性和(he)準(zhun)確度(du)。本機如加配(pei)數據(ju)處理(li)器,測量(liang)矽片時(shi)可自(zi)動進行厚度(du)、直徑(jing)、探(tan)針間距的修正(zheng),並(bing)計(ji)算、打(da)印出(chu)矽片電阻率(lv)、徑(jing)向(xiang)電阻率(lv)的百分比變(bian)化(hua)、平均(jun)百分變(bian)化(hua)、徑(jing)向(xiang)電阻率(lv)不均(jun)勻度(du),給(gei)測(ce)量帶來很(hen)大(da)方(fang)便。
電阻率(lv)測試(shi)儀(yi)適用:電線(xian)電纜行業(ye)、導(dao)體(ti)及(ji)半(ban)導(dao)體(ti)材料(liao)行(xing)業(ye),碳(tan)素(su)、焦(jiao)化(hua)、石(shi)化(hua)、粉(fen)末(mo)冶(ye)金(jin)、高(gao)等(deng)院校(xiao)、科研(yan)部門對(dui)新材料(liao)之研(yan)究(jiu),是檢(jian)驗(yan)和(he)分析材(cai)料(liao)樣(yang)品(pin)質(zhi)量的(de)壹種(zhong)重要(yao)的(de)工具及(ji)有效(xiao)方(fang)法。